公司首页 关于公司 靶材产品 靶材绑定 靶材回收 售后支持 招才纳士 联系方式
靶材销售全国热线:
联系方式

地 址:成都市双流西南航空港经济开发区腾飞一路355号
电 话:400-600-4728
邮 箱:274262738@qq.com

留言咨询

行业新闻
您现在的位置:首页 > 新闻中心 > 行业新闻
溅射靶材的性能指标具体要求
作者: 发布于:2013/12/18 10:45:32 点击量:

 纯度

靶材的纯度对溅射喷膜的性能影响很大。靶材的纯度越高,溅射喷膜的性能越好。以纯A1靶为例,纯度越高,溅射A1膜的耐蚀性及电学、光学性能越好。不过在实际应用中,不同用途的靶材对纯度的要求不同。例如,一般工业用靶材对纯度并不苛求,而半导体、显示器件等领域用靶材对纯度的要求十分严格;磁性薄膜用靶材的纯度要求一般为99.9%以上,ITO靶中In2O3和SnO2的纯度要求不低于99.99%。表列出了常用金属靶材的纯度。

表 常用金属靶材的纯度6 T8 L/ V9 b& M8 U; J6 }) U

# m3 j) L# u+ X- p

杂质含量( U( f) e; F) i

靶材作为溅射中的阴极源,固体中的杂质和气孔中的O2和H2O是沉积薄膜的主要污染源。靶材对纯度的要求也就是对杂质总含量的要求。杂质总含量越低,纯度就越高。此外,不同用途靶材对单个杂质含量也有不同的要求。例如,半导体电极布线用的W,Mo,Ti等靶材对U,Th等放射性元素的含量要求低于3×10-9;光盘反射膜用的Al合金靶材则要求O2含量低于2×10-4.下表列出了几种高纯金属难熔金属靶材的杂质含量。) a' Y b2 q8 @9 H- l/ T

表 几种高纯难熔金属靶材的杂质质量

Tab. Impurity concertration of some high purity refractory metal target materials ' B% N( `6 q* U" ?5 U4 j8 n

靶材 密实度/% 杂质含量/1×10-6 1 x0 B1 I2 x, {; b, ~

Fe Ni Mg Mn Na K Cu Al Cr U ,Th O 3 y4 s6 k) _+ J& D, i9 b

Ti 100 <1.0 <1.0 <0.5 <0.5 <0.1 <0.1 <1.0 <1.0 <1.0 <0.0010 <150

Ta 100 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 <0.1 <0.1 <0.5 <1.0 <0.5 <0.0010 <50

W 100 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <1.0 <0.1 <0.0005 <10

Mo 100 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 <0.1 <0.1 <0.5 <1.0 <0.5 <0.0010 <100

, X3 p; l% f; c2 ]* g

密实度

为了减少靶材固体中的气孔,提高薄膜的性能,一般要求溅射靶材具有较高的密实度。通常,靶材的密实度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等,还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实,溅射膜粒子的密度越低,放电现象越弱,而薄膜的性能也越好。靶材的密实度主要取决于制备工艺。一般而言,铸造靶材的密实度高,而烧结靶材的密实度则相对较低。因此,提高靶材的密实度是烧结法制备靶材的技术关键之一。

成分与结构均匀性

成分与结构均匀性是考察$ b, S2 K$ q- H i. |

成分与结构均匀性是考察靶材质量的重要指标之一。对于复相结构的合金靶材和混合靶材,不仅要求成分的均匀性,还要求组织结构的均匀性。例如,,ITO靶为In2O3-SnO2的混合烧结物,为了保证ITO膜质量,要求ITO靶中In2O3-SnO2组成均匀,都为93:7或91:9(分子比)。' N, Q* V) l& _2 q0 k' N

几何形状与尺寸/ ~7 O! ?9 C. H$ R

主要体现在加工精度和质量方面,如表面平整度、粗糙度等。+ F- i4 j) K- t+ D: {# S3 c

靶材与底盘的连接3 H+ O: c1 i* r& {2 v1 I

多数靶材在溅射前必须与无氧铜(或A1等其他材料)底盘连接到一起,使溅射过程中靶材与底盘的导热导电状况良好。焊接后必须经过超声波检验,保证两者的不结合区域小于2%,这样才能满足大功率溅射要求而不致脱落


    本公司专业提供高纯度(3N-7N)的溅射靶材、镀膜靶材、超纯金属靶材、稀有金属靶料,可以按照客户要求来定制加工靶材,同时还提供靶材绑定,靶料回收等服务。欢迎来电咨询或浏览网站http://www.51bacai.com。

上一篇:电子束蒸发与磁控溅射镀膜的性能分析研究

下一篇:平板镀膜ITO靶材的市场格局